Команда Samsung Advanced Institute of Technology совместно с коллегами из Ульсансккого института науки и техники и Кембриджским университетом открыли новый материал, который сможет стать основой для полупроводников следующего поколения.
Аморфный нитрид бора — так называется находка — обладает аморфной структурой, толщиной в одну молекулу. Получить её удалось из нитрида бора, в котором атомы азота и бора образуют шестиугольную кристаллическую решётку. Ключевое различие между материалами состоит как раз в расположении этих атомов.
Специалисты заявляют, что аморфный гидрид бора обладает сильными электрическими и механическими свойствами. Кроме того, обладает лучшей сверхнизкой диэлектрической проницаемостью. Благодаря этим свойства, он может применяться в качестве изоляции для сведения электрических помех к минимуму.
Производить такой материал можно быстро, недорого и большими объёмами, поэтому в Samsung всерьёз задумались о том, чтобы использовать его при создании модулей оперативной памяти. К сожалению, будет это ещё очень нескоро.
Управлять смартфоном можно при помощи взгляда
Всё больше людей используют смартфон для редактирования фото и видео, чтения, ведения социальных сетей. Такое многообразие…
Программа самостоятельного ремонта iPhone себя не оправдала
Журналисты издания MacRumors решили опробовать новую программу на себе. Для чистоты эксперимента они заставили штатного видеографа Дэна…
Умная кровать от Xiaomi избавит владельцев от храпа
Китайский производитель электроники сообщает, что кровать оборудована двумя моторами. Работают они бесшумно, но позволяют менять наклон в области…
Сайт отечественного «ответа» Google Play подвергся DDoS-атаке
Новую площадку для размещения на нём отечественного мобильного софта Минцифры анонсировало в апреле. Планировалось запустить сервис…