Команда Samsung Advanced Institute of Technology совместно с коллегами из Ульсансккого института науки и техники и Кембриджским университетом открыли новый материал, который сможет стать основой для полупроводников следующего поколения.
Аморфный нитрид бора — так называется находка — обладает аморфной структурой, толщиной в одну молекулу. Получить её удалось из нитрида бора, в котором атомы азота и бора образуют шестиугольную кристаллическую решётку. Ключевое различие между материалами состоит как раз в расположении этих атомов.
Специалисты заявляют, что аморфный гидрид бора обладает сильными электрическими и механическими свойствами. Кроме того, обладает лучшей сверхнизкой диэлектрической проницаемостью. Благодаря этим свойства, он может применяться в качестве изоляции для сведения электрических помех к минимуму.
Производить такой материал можно быстро, недорого и большими объёмами, поэтому в Samsung всерьёз задумались о том, чтобы использовать его при создании модулей оперативной памяти. К сожалению, будет это ещё очень нескоро.
